参数资料
型号: PMBD6100,215
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 6/9页
文件大小: 126K
描述: DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 50V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 215mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 70V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
2003 Mar 25 6
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode PMBD6100
Fig.7 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms.
(1) IR
= 1 mA.
handbook, full pagewidth
trr
(1)
IF
t
output signal
tr
t
tp
10%
90%
VR
input signal
V = V I x RRF S
R = 50S
?
IF
D.U.T.
R = 50i
?
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
MGA881
Fig.8 Forward recovery voltage test circuit and waveforms.
tr
t
tp
10%
90%
I
input
signal
R = 50S
?
I
R = 50i
?
OSCILLOSCOPE
1 k?
450 ?
D.U.T.
MGA882
Vfr
t
output
signal
V
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PDF描述
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