参数资料
型号: PMEG3010BEV,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 10/11页
文件大小: 158K
描述: SCHOTTKY RECT 30V 1A SOT666
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 560mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 150µA @ 30V
电容@ Vr, F: 70pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-666
包装: 标准包装
其它名称: 568-7398-6
2004 Jun 14 8
NXP Semiconductors
Product data sheet
1 A very low VF
MEGA Schottky
barrier rectifier
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
PACKAGE OUTLINES
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC JEDEC JEITA
SOD323 SC-76
SOD323
03-12-17
06-03-16
Note
1. The marking bar indicates the cathode
UNIT
A
mm 0.051.10.8
0.40
0.25
0.25
0.10
1.8
1.6
1.35
1.15
2.7
2.3
0.45
0.15
A
max1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Plastic surface-mounted package; 2 leads
012 mm
(1)
2
1
scale
bp
c
D
E
HD
Q
0.25
0.15
Lp
v
0.2
A
D
A
E
Lp
bp
detail X
A1
c
Q
HD
vAM
X
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PMEG3010CEH T/R 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
PMEG3010CEH,115 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
PMEG3010CEJ 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
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