参数资料
型号: PMEG3010BEV,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 7/11页
文件大小: 158K
描述: SCHOTTKY RECT 30V 1A SOT666
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 560mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 150µA @ 30V
电容@ Vr, F: 70pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-666
包装: 标准包装
其它名称: 568-7398-6
2004 Jun 14 5
NXP Semiconductors
Product data sheet
1 A very low VF
MEGA Schottky
barrier rectifier
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
GRAPHICAL DATA
handbook, halfpageI
F
0.6
VF
(V)
0.4
(mA)
0.2
0
104
103
102
10
1
10?1
MHC673
(1) (2)
(3)
Fig.3 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
(1) Tamb
= 150
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
105handbook, halfpage
IR
(1)
1015
V20R (V)
10
5
MHC674
104
103(2)
102
10
(μA)
(3)
Fig.4 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
(1) Tamb
= 150
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
MHC675
C14010
4
MHC676
handbook, halfpaged
handbook, halfpageI
F
10?1
0 5 10 201500.20.40.6V
R
(V)
VF
(V)
120(mA)3
100
0
40
20
80
60
(pF)
Fig.5 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
Tamb
= 25
°C; f = 1 MHz.
10
102(1)(2)(3)
10
1
Fig.6 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
(1) Tamb
= 150
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
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PMEG3010CEH,115 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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