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参数资料
| 型号： | PMEG3010BEV,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 158K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1A SOT666 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 560mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 70pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-666 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7398-6 |
    2004 Jun 14 4 NXP Semiconductors Product data sheet 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier PMEGXX10BEA; PMEGXX10BEV THERMAL CHARACTERISTICS Notes 1. Refer to SOD323 (SC-76) standard mounting conditions. 2. For Schottky barrier diodes thermal runaway has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a significant part of the total power losses. Nomograms for determining the reverse power losses P R and I F(AV) rating will be available on request. 3. Device mounted on an FR4 printed-circuit board with copper clad 10 × 10 mm. 4. Solder point of cathode tab. 5. Refer to SOT666 standard mounting conditions. 6. Only valid if pins 3 and 4 are connected in parallel (SOT666 package). CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise specified. Note 1. Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT PMEGXX10BEA (SOD323) Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air; notes 1 and 2 450 K/W in free air; notes 2 and 3 210 K/W Rth(j-s) thermal resistance from junction to soldering point note 4 90 K/W PMEGXX10BEV (SOT666) Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air; notes 2 and 5 405 K/W in free air; notes 2 and 6 215 K/W Rth(j-s) thermal resistance from junction to soldering point note 4 80 K/W SYMBOL PARAMETER CONDITIONS PMEG2010BEA/ PMEG3010BEA/ PMEG4010BEA/ PMEG2010BEV PMEG3010BEV PMEG4010BEV UNIT TYP. MAX. TYP. MAX. TYP. MAX. VF forward voltage IF = 0.1 mA 90 130 90 130 95 130 mV IF = 1 mA 150 190 150 200 155 210 mV IF = 10 mA 210 240 215 250 220 270 mV IF = 100 mA 280 330 285 340 295 350 mV IF = 500 mA 355 390 380 430 420 470 mV IF = 1000 mA 420 500 450 560 540 640 mV IR continuous reverse current VR = 10 V; note 1 15 40 12 30 7 20 μA VR = 20 V; note 1 40 200 ? ? ? ? μA VR = 30 V; note 1 ? ? 40 150 ? ? μA VR = 40 V; note 1 ? ? ? ? 30 100 μA Cd diode capacitance VR = 1 V; f = 1 MHz 66 80 55 70 43 50 pF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RS-4805SZ | CONV DC/DC 2W 18-72VIN 05VOUT |
| GSA50DTAH | CONN EDGECARD 100PS R/A .125 SLD |
| RS-4805D | CONV DC/DC 2W 36-72VIN +/-05VOUT |
| VE-BNV-CY-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 50W |
| GMC08DRTN-S13 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3010CEH | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 30V SOD-123F |
| PMEG3010CEH T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010CEH,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010CEJ | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
| PMEG3010CEJ,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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