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参数资料
| 型号： | PMEG3010BEV,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 158K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1A SOT666 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 560mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 70pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-666 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7398-6 |
    2004 Jun 14 3 NXP Semiconductors Product data sheet 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier PMEGXX10BEA; PMEGXX10BEV ORDERING INFORMATION LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Notes 1. Refer to SOD323 (SC-76) and SOT666 standard mounting conditions. 2. Only valid if pins 3 and 4 are connected in parallel (SOT666 package). 3. For Schottky barrier diodes thermal runaway has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a significant part of the total power losses. Nomograms for determining the reverse power losses P R and I F(AV) rating will be available on request. TYPE NUMBER PACKAGE NAME DESCRIPTION VERSION PMEGXX10BEA ? plastic surface mounted package; 2 leads SOD323 PMEGXX10BEV plastic surface mounted package; 6 leads SOT666 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VR continuous reverse voltage PMEG2010BEA/PMEG2010BEV ? 20 V PMEG3010BEA/PMEG3010BEV ? 30 V PMEG4010BEA/PMEG4010BEV ? 40 V IF continuous forward current Ts ≤ 55 °C; note 1 ? 1 A IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1 ms; δ ≤ 0.5; note 2 ? 3.5 A IFSM non-repetitive peak forward current tp = 8 ms; square wave; note 2 ? 10 A Tj junction temperature note 3 ? 150 °C Tamb operating ambient temperature note 3 ?65 +150 °C Tstg storage temperature ?65 +150 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RS-4805SZ | CONV DC/DC 2W 18-72VIN 05VOUT |
| GSA50DTAH | CONN EDGECARD 100PS R/A .125 SLD |
| RS-4805D | CONV DC/DC 2W 36-72VIN +/-05VOUT |
| VE-BNV-CY-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 50W |
| GMC08DRTN-S13 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3010CEH | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 30V SOD-123F |
| PMEG3010CEH T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010CEH,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010CEJ | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
| PMEG3010CEJ,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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