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参数资料
| 型号： | PZT2222A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | NPN General Purpose Amplifier |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
| 封装： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | PZT2222A |
Thermal Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN2222A
625
5.0
83.3
200
*PZT2222A
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
125
Symbol
Characteristic
Max
Units
**MMBT2222A
350
2.8
357
MMPQ2222
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
°
C/W
R
θ
JA
Effective 4 Die
Each Die
125
240
Typical Characteristics
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
*
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
**
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
25
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25 °C
125 °C
- 40 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
500
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
25
°
C
125
°
C
- 40
°
C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
500
0.1
0.2
0.3
0.4
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25
°
C
β
= 10
125
°
C
- 40
°
C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125
°
C
25
°
C
- 40
°
C
V = 5V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| PZT2222A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 |
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