参数资料
型号: QEB373YR
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 1/5页
文件大小: 0K
描述: LED IR EMITTING 940NM 2MM YK T/R
标准包装: 1,000
电流 - DC 正向(If): 100mA
辐射强度(le)最小值@正向电流: 16mW/sr @ 100mA
波长: 880nm
正向电压: 1.7V
视角: 24°
方向: 顶视图
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-SMD,轭形弯曲
包装: 带卷 (TR)
November 2009
QEB373
Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode
Features
■ T-3/4 (2mm) Surface Mount Package
■ Tape & Reel Option (See Tape & Reel Specifications)
■ Lead Form Options: Gullwing, Yoke, Z-Bend
■ Narrow Emission Angle, 24°
■ Wavelength = 875nm, AlGaAs
■ Clear Lens
■ Matched Photosensor: QSB363
■ High Radiant Intensity
Package Dimensions
0.276 (7.0)
CATHODE
MIN
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
0.074 (1.9)
0.019 (0.5)
0.012 (0.3)
.059 (1.5)
.051 (1.3)
0.055 (1.4)
Schematic
0.008 (0.21)
0.004 (0.11)
0.106 (2.7)
0.024 (0.6)
CATHODE
0.091 (2.3)
Notes:
1. Dimensions are in inches (mm).
2. Tolerance of ±.010 (.25) on all non nominal dimensions unless otherwise specified.
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
QEB373 Rev. 1.0.1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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