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参数资料
| 型号： | QEB373YR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR EMITTING 940NM 2MM YK T/R |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 16mW/sr @ 100mA |
| 波长： | 880nm |
| 正向电压： | 1.7V |
| 视角： | 24° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，轭形弯曲 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Curves
Fig. 1 Maximum Forward Current vs.
Temperature
200
160
120
80
Fig. 2 Relative Radiant Intensity vs.
Wavelength
100
I F = 20 mA
T A = 25?C
80
60
40
40
20
0
-25
0
25
50
75
85
100
0
810 835 855 875 905 925 945 965 985
Ambient Temperature T A (?C)
Fig. 3 Peak Emission Wavelength vs.
Ambient Temperature
920
900
500
200
100
Wavelength λ (nm)
Fig. 4 Forward Current vs.
Forward Voltage
50
875
20
860
10
5
840
-25
0
25
50
75
100
2
1
Ambient Temperature T A (?C)
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Fig. 5 Relative Radiant Flux vs.
Ambient Temperature
20
10
Forward Voltage V F (V)
Fig. 6 Relative Radiant Intensity vs.
Angular Displacement
30
20
10
0
10
20
30
5
2
1
0.5
0.2
0.1
40
50
60
70
80
90
40
50
60
70
80
90
-25
0
25
50
75
100
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
Ambient Temperature T A (?C)
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
QEB373 Rev. 1.0.1
3
Ambient Temperature T A (?C)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QEB421TR | LED IR EMITTING 880NM 2-PLCC T/R |
| QEC113C6R0 | LED IR GAAS 940NM PEACH 3MM |
| QEC121 | LED IR EMITTING ALGAAS 880NM 3MM |
| QEC122C6R0 | LED IR ALGAAS 880NM PURPLE 3MM |
| QED221 | LED IR EMITTING ALGAAS 880NM 5MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QEB373ZR | 功能描述:红外发射源 Subminiature LED Plastic RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QEB421 | 功能描述:红外发射源 PLCC-2 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QEB421_Q | 功能描述:红外发射源 PLCC-2 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| QEB421TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| QEB421TR | 功能描述:红外发射源 infrared LED SMD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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