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参数资料
| 型号： | QS5U13TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 175pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U13DKR |
QS5U13
Transistors
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Channel temperature
Power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
Tch
P D ? 3
± 2.0
± 8.0
0.8
3.2
150
0.9
A
A
A
A
° C
W/ELEMENT
<Di>
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current
V RM
V R
I F
30
20
0.5
V
V
A
Forward current surge peak
Junction temperature
Power dissipation
I FSM
Tj
P D
? 2
? 3
2.0
150
0.7
A
° C
W/ELEMENT
<MOSFET AND Di>
Total power dissipation
Range of Storage temperature
P D ? 3
Tstg
1.25
? 55 to +150
W / TOTAL
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1% ? 2 60Hz ? 1cyc. ? 3 Mounted on a ceramic board
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
10
Unit
μ A
Conditions
V GS = 12V / V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
30
?
?
V
I D = 1mA, / V GS = 0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
I DSS
V GS (th)
?
0.5
?
?
1
1.5
μ A
V
V DS = 30V / V GS = 0V
V DS = 10V / I D = 1mA
Static drain-source on-state
resistance
R DS (on)
?
?
?
?
71
76
110
100
107
154
m ?
m ?
m ?
I D = 2.0A, V GS = 4.5V
I D = 2.0A, V GS = 4V
I D = 2.0A, V GS = 2.5V
?
?
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
1.5
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
175
50
25
8
10
21
8
2.8
0.6
0.8
?
?
?
?
?
?
?
?
3.9
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = 10V, I D = 2.0A
V DS = 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
I D = 1.0A
V DD 15V
V GS = 4.5V
R L = 15 ?
R G = 10 ?
V DD 15V
V GS = 4.5V
I D = 2.0A
? Pulsed
<Body diode (source-drain)>
Forward voltage
V SD
?
?
?
1.2
V
I S = 3.2A / V GS = 0V
? Pulsed
<Di>
Forward voltage
Reverse current
V F
I R
?
?
?
?
?
?
0.36
0.47
100
V
V
μ A
I F = 0.1A
I F = 0.5A
V R = 20V
Rev.A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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