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参数资料
| 型号： | QS5U13TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 175pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U13DKR |
QS5U13
Transistors
6
Ta = 25 ° C
V DD = 15V
5 I D = 2A
R G = 10 ?
Pulsed
4
3
1000
100
10
125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
100
10
1
0.1
125 ° C
75 ° C
25 ° C
2
0.01
1
1
0.001
? 25 ° C
0
0
1
2
3
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.0001
0
10
20
30
4 0
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.10 Dynamic Input Characteristics
FORWARD VOLTAGE : V F (V)
Fig.11 Forward Current
vs. Forward Voltage
REVERSE VOLTAGE : V R (V)
Fig.12 Reverse Current
vs. Reverse Voltage
Measurement circuits
Pulse Width
90%
V GS
I D
R L
V DS
V GS
V DS
50%
10%
10%
50%
10%
D.U.T.
R G
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t f
t off
Fig.13 Switching Time Measurement Circuit
Fig.14 Switching Waveforms
V G
I G(Const.)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.15 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.16 Gate Charge Waveform
Rev.A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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