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参数资料
| 型号： | QS5U27TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U27DKR |
QS5U27
Transistor
8
7
6
5
4
3
2
1
Ta=25 ° C
V DD = ? 15V
I D = ? 1.5A
R G =10 ?
Pulsed
0
0
1
2
3
4
5
6
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.10 Dynamic Input
Characteristics
Measurement circuits
Pulse Width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t r
t on
t off
Fig.11 Switching Time Measurement Circuit
Fig.12 Switching Waveforms
V G
I G(Const)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.13 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.14 Gate Charge Waveforms
Rev.A
4/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS5U28TR | MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5 |
| QS5U33TR | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 |
| QS5U34TR | MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
| QS5U36TR | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 |
| QS6J11TR | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS5U28 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (−20V, −2.0A) |
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| QS5U28TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS5U33 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+SBD MOSFET |
| QS5U33TR | 功能描述:MOSFET 30V; 2A; N-Channel Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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