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参数资料
| 型号： | R1LV0416DSB-5SI |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 4M SRAM (256-kword 】 16-bit) |
| 中文描述： | 4分的SRAM（256 - KWord的】16位） |
| 文件页数： | 15/17页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | R1LV0416DSB-5SI |
R1LV0416D Series
Rev.1.00, May.24.2007, page 15 of 15
Low V
CC
Data Retention Timing Waveform (1)
(CS1# Controlled)
CC
V
2.2 V
DR
V
2.7 V
0 V
CS1#
t
CDR
t
R
CS1# V – 0.2 V
Data retention mode
CC
V
2.7 V
0.6 V
0 V
CS2
CDR
t
R
0 V CS2 0.2 V
DR
V
Data retention mode
t
CC
V
2.2 V
DR
V
2.7 V
0 V
LB#, UB#
t
CDR
t
R
LB#, UB# V – 0.2 V
Data retention mode
Low V
CC
Data Retention Timing Waveform (2)
(CS2 Controlled)
Low V
CC
Data Retention Timing Waveform (3)
(LB#, UB# Controlled)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R1LV0416DSB-5SI#B0 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| R1LV0416DSB-5SI#S0 | 功能描述:IC SRAM 8BIT 55NS 32TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| R1LV0416DSB-5SIS0 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:4M SRAM (256-kword ?? 16-bit) |
| R1LV0416DSB-7LI | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:4M SRAM (256-kword 】 16-bit) |
| R1LV0416DSB-7LI#B0 | 功能描述:IC SRAM 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
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