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参数资料
| 型号： | R1LV0416DSB-5SI |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 4M SRAM (256-kword 】 16-bit) |
| 中文描述： | 4分的SRAM（256 - KWord的】16位） |
| 文件页数： | 16/17页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | R1LV0416DSB-5SI |
Revision History
R1LV0416D Series Data Sheet
Contents of Modification
Description
Rev.
Date
Page
2
3
4
5
5
6
7
14
0.01
1.00
Dec. 25, 2006
May. 24, 2007
Initial issue
Ordering Information
R1LV0416DSB-5S% to R1LV0416DSB-5SI
R1LV0416DSB-7L% to R1LV0416DSB-7LI
R1LV0416DBG-5S% to R1LV0416DBG-5SI
R1LV0416DBG-7L% to R1LV0416DBG-7LI
Pin Arrangement
A6 to A13, A13 to A6
Change of Block Diagram
Absolute Maximum Ratings: Deletion of R ver. specification
DC Operating Conditions: Deletion of R ver. specification
DC Characteristics
I
SB1
(-5SI) (to +25
°
C) max: 3
μ
A to 2.5
μ
A
AC Characteristics: Change of Test Conditions
Low V
CC
Data Retention Characteristics
I
CCDR
(-5SI) (to +25
°
C) max: 3
μ
A to 2.5
μ
A
Deletion of note 2
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