参数资料
型号: R1LV0416DSB-5SI
厂商: Renesas Technology Corp.
英文描述: 4M SRAM (256-kword 】 16-bit)
中文描述: 4分的SRAM(256 - KWord的】16位)
文件页数: 6/17页
文件大小: 168K
代理商: R1LV0416DSB-5SI
R1LV0416D Series
DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
μ
A Vin = V
SS
to V
CC
μ
A CS1# = V
or CS2 = V
IL
or
OE# = V
or WE# = V
IL
or
LB# = UB# = V
IH
,
V
I/O
= V
SS
to V
CC
mA CS1# = V
IL
, CS2 = V
,
Others = V
IH
/V
IL
, I
I/O
= 0 mA
mA Min. cycle, duty = 100%,
I
= 0 mA, CS1# = V
IL
,
CS2 = V
,
Others = V
IH
/V
IL
mA Cycle time = 1
μ
s,
duty = 100%,
I
= 0 mA, CS1#
0.2 V,
CS2
V
CC
0.2 V
V
IH
V
CC
0.2 V, V
IL
0.2 V
mA CS2 = V
IL
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
I
OH
=
1 mA
V
I
OH
=
100
μ
A
V
I
OL
= 2 mA
V
I
OL
= 100
μ
A
Test conditions
Input leakage current
|I
LI
|
|I
LO
|
1
Output leakage current
1
Operating current
I
CC
20
I
CC1
25
Average operating current
I
CC2
5
Standby current
I
SB
I
SB1
I
SB1
I
SB1
I
SB1
I
SB1
I
SB1
I
SB1
I
SB1
V
OH
V
OH2
V
OL
V
OL2
2.4
0.1
*
1
*
1
*
1
0.3
to +85
°
C
to +70
°
C
to +40
°
C
to +25
°
C
to +85
°
C
to +70
°
C
to +40
°
C
to +25
°
C
10
8
3
5SI
1
2.5
20
16
10
Standby current
7LI
1
10
0.4
Vin
0 V
(1) 0 V
CS2
0.2 V or
(2) CS1#
V
CC
0.2 V,
CS2
V
CC
0.2 V or
(3) LB# = UB#
V
CC
0.2 V,
CS2
V
CC
0.2 V,
CS1#
0.2 V
Average values
Output high voltage
V
CC
0.2
Output low voltage
0.2
Note: 1. Typical values are at V
CC
= 3.0 V, Ta = +25
°
C and specified loading, and not guaranteed.
Capacitance
(Ta = +25
°
C, f = 1.0 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
Input capacitance
Cin
8
pF
Vin = 0 V
1
Input/output capacitance
Note: 1. This parameter is sampled and not 100% tested.
C
I/O
10
pF
V
I/O
= 0 V
1
Rev.1.00, May.24.2007, page 6 of 15
相关PDF资料
PDF描述
R1LV0416DSB-7LI 4M SRAM (256-kword 】 16-bit)
R1LV1616H-I Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword 】 16-bit / 2-Mword 】 8-bit)
R1LV1616HSA-4LI Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword 】 16-bit / 2-Mword 】 8-bit)
R1LV1616HSA-4SI Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword 】 16-bit / 2-Mword 】 8-bit)
R1LV1616HSA-5SI Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword 】 16-bit / 2-Mword 】 8-bit)
相关代理商/技术参数
参数描述
R1LV0416DSB-5SI#B0 功能描述:IC SRAM 4MBIT 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6
R1LV0416DSB-5SI#S0 功能描述:IC SRAM 8BIT 55NS 32TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽) 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8
R1LV0416DSB-5SIS0 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:4M SRAM (256-kword ?? 16-bit)
R1LV0416DSB-7LI 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:4M SRAM (256-kword 】 16-bit)
R1LV0416DSB-7LI#B0 功能描述:IC SRAM 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6