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参数资料
| 型号： | R1Q3A3609ABG-60R |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR™II SRAM 4-word Burst |
| 文件页数： | 18/26页 |
| 文件大小： | 407K |
| 代理商： | R1Q3A3609ABG-60R |
R1Q3A3636/R1Q3A3618/R1Q3A3609
TAP AC Test Conditions
Parameter
Symbol
Ta
V
REF
V
IL
, V
IH
tr, tf
Conditions
0
≤
Ta
≤
+70
0.9
0 to 1.8
≤
1.0
0.9
0.9
See figures
Unit
°C
V
V
ns
V
V
Notes
Temperature
Input timing measurement reference levels
Input pulse levels
Input rise/fall time
Output timing measurement reference levels
Test load termination supply voltage (V
TT
)
Output load
Input waveform
1.8 V
0 V
0.9 V
0.9 V
Test points
Output waveform
0.9 V
Test points
0.9 V
Output load condition
External Load at Test
50
V
TT
= 0.9 V
TDO
Z
0
= 50
DUT
20 pF
REJ03C0295-0003 Rev.0.03 Jul. 31, 2007
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| R1Q3A3618 | 36-Mbit QDR™II SRAM 4-word Burst |
| R1Q3A3618ABG-30R | 36-Mbit QDR™II SRAM 4-word Burst |
| R1Q3A3618ABG-33R | 36-Mbit QDR™II SRAM 4-word Burst |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R1Q3A3609ABG60RB0 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:36-Mbit QDR?II SRAM 2-word Burst |
| R1Q3A3609ABG60RS0 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:36-Mbit QDR?II SRAM 2-word Burst |
| R1Q3A3609ABG60RT0 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:36-Mbit QDR?II SRAM 2-word Burst |
| R1Q3A3609BBG-33R | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 4M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin FBGA |
| R1Q3A3609BBG-40R | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:36-Mbit QDR?II SRAM 4-word Burst |
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