参数资料
型号: R1Q3A3609ABG-60R
厂商: Renesas Technology Corp.
英文描述: 36-Mbit QDR™II SRAM 4-word Burst
文件页数: 2/26页
文件大小: 407K
代理商: R1Q3A3609ABG-60R
R1Q3A3636/R1Q3A3618/R1Q3A3609
Ordering Information
Type No.
Organization
1-M word
×
36-bit
Cycle time
3.0 ns
3.3 ns
4.0 ns
5.0 ns
6.0 ns
3.0 ns
3.3 ns
4.0 ns
5.0 ns
6.0 ns
3.0 ns
3.3 ns
4.0 ns
5.0 ns
6.0 ns
Clock frequency
333 MHz
300 MHz
250 MHz
200 MHz
167 MHz
333 MHz
300 MHz
250 MHz
200 MHz
167 MHz
333 MHz
300 MHz
250 MHz
200 MHz
167 MHz
Package
Notes
R1Q3A3636ABG-30R
R1Q3A3636ABG-33R
R1Q3A3636ABG-40R
R1Q3A3636ABG-50R
R1Q3A3636ABG-60R
R1Q3A3618ABG-30R
R1Q3A3618ABG-33R
R1Q3A3618ABG-40R
R1Q3A3618ABG-50R
R1Q3A3618ABG-60R
R1Q3A3609ABG-30R
R1Q3A3609ABG-33R
R1Q3A3609ABG-40R
R1Q3A3609ABG-50R
R1Q3A3609ABG-60R
Notes: 1. Type No.
Pin Arrangement
2-M word
×
18-bit
4-M word
×
9-bit
Plastic FBGA 165-pin
PLBG0165FB-A
(0:1) R1 : Renesas Memory prefix
(2:3) Q2 : QDRII 2-word Burst SRAM
Q3 : QDRII 4-word Burst SRAM
Q4 : DDRII 2-word Burst SRAM
Q5 : DDRII 4-word Burst SRAM
Q6 : DDRII 2-word Burst SRAM Separate I/O
(4)
A : V
DD
=1.8V
(5:6) 36 : Density = 36Mb
72 : Density = 72Mb
(7:8) 36 : Organization = x36
18 : Organization = x18
09 : Organization = x9
R1Q3A3636
series
1
2
3
4
/W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
6
/K
K
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
/C
7
8
/R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
SA
10
NC
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
/CQ
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
/DOFF
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
V
SS
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
NC
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
SA
/BW2
/BW3
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
/BW1
/BW0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
(Top View)
REJ03C0295-0003 Rev.0.03 Jul. 31, 2007
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