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参数资料
| 型号： | R5016ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R5016ANX
Datasheet
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Effective output capacitance,
energy related
Effective output capacitance,
time related
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Symbol
g fs*6
C iss
C oss
C rss
C o(er)
C o(tr)
t d(on)*6
t r*6
t d(off)*6
t f*6
Conditions
V DS = 10V, I D = 8A
V GS = 0V
V DS = 25V
f = 1MHz
V GS = 0V,
V DS = 0V to 400V
V DD ? 250V, V GS = 10V
I D = 8A
R L = 31.3Ω
R G = 10Ω
Min.
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
12
1800
750
55
68.2
222
40
50
150
55
Max.
-
-
-
-
-
-
-
-
300
110
Unit
S
pF
pF
ns
l Gate charge characteristics ( T a = 25°C)
Parameter
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Gate plateau voltage
Symbol
Q g*6
Q gs*6
Q gd*6
V (plateau)
Conditions
V DD ? 250V
I D = 16A
V GS = 10V
V DD ? 250V, I D = 16A
Min.
-
-
-
-
Values
Typ.
50
9.5
21
5.8
Max.
-
-
-
-
Unit
nC
V
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ≤ 10μs, Duty cycle ≤ 1%
*3 L ? 500μH, V DD =50V, R G =25Ω, starting T j =25°C
*4 L ? 500μH, V DD =50V, R G =25Ω, starting T j =25°C, f=10kHz
*5 Reference measurement circuits Fig.5-1.
*6 Pulsed
www.rohm.com
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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20131113 - Rev.001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R5016FNX | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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