- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录502 > R5016ANX (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | R5016ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R5016ANX
Datasheet
l Body diode electirical characteristics (Source-Drain) (T a = 25°C)
Parameter
Inverse diode continuous,
forward current
Inverse diode direct current,
pulsed
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
Peak rate of fall of reverse
recovery current
Symbol
I S*1
I SM*2
V SD*6
t rr*6
Q rr*6
I rrm*6
di rr /dt
Conditions
T C = 25 ℃
V GS = 0V, I S = 16A
I S = 16A
di/dt = 100A/μs
T j = 25 ℃
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
-
-
-
422
4.82
22.8
700
Max.
16
64
1.5
-
-
-
-
Unit
A
A
V
ns
μC
A
A/μs
l Typical transient thermal characteristics
Symbol
R th1
R th2
R th3
Value
0.117
0.662
2.15
Unit
K/W
Symbol
C th1
C th2
C th3
Value
0.00318
0.0429
0.507
Unit
Ws/K
www.rohm.com
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/13
20131113 - Rev.001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R5019ANJTL | MOSFET N-CH 500V 19A LPTS |
| R6006ANX | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM |
| R6008ANX | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM |
| R6010ANX | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM |
| R6012ANX | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R5016FNX | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 500V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| R5019ANJ | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
| R5019ANJTL | 功能描述:MOSFET Nch 500V 19A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| R5019ANX | 制造商:Rohm 功能描述:Cut Tape 制造商:Rohm Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk |
| R50-1WD-1G | 制造商:RAYTHN 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。