参数资料
型号: R5016ANX
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 4/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 270 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FM
包装: 散装
R5016ANX
      
        
Datasheet
l Body diode electirical characteristics (Source-Drain) (T a = 25°C)
Parameter
Inverse diode continuous,
forward current
Inverse diode direct current,
pulsed
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
Peak rate of fall of reverse
recovery current
Symbol
I S*1
I SM*2
V SD*6
t rr*6
Q rr*6
I rrm*6
di rr /dt
Conditions
T C = 25 ℃
V GS = 0V, I S = 16A
I S = 16A
di/dt = 100A/μs
T j = 25 ℃
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
-
-
-
422
4.82
22.8
700
Max.
16
64
1.5
-
-
-
-
Unit
A
A
V
ns
μC
A
A/μs
l Typical transient thermal characteristics
         
Symbol
R th1
R th2
R th3
Value
0.117
0.662
2.15
Unit
K/W
Symbol
C th1
C th2
C th3
Value
0.00318
0.0429
0.507
Unit
Ws/K
                                                                                           
www.rohm.com
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20131113 - Rev.001
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