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参数资料
| 型号： | R5019ANJTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 19A LPTS |
| 产品目录绘图： | MOSFET LPTS |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | LPTS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | R5019ANJTLDKR |
R5019ANJ
Fig.10 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
Fig.11 Dynamic Input Characteristics
Data Sheet
Fig.12 Reverse Recovery Time
vs.Source Current
10000
1000
C iss
15
10
Ta= 25 ℃
V DD = 250V
I D = 19A
R G = 10Ω
Pulsed
10000
1000
100
C oss
10
Ta= 25 ℃
f= 1MHz
V GS = 0V
C rss
5
100
Ta= 25 ℃
di / dt= 100A / μs
V GS = 0V
Pulsed
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0
10
20
30
40
50
60
70
10
0
1
10
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.13 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Q g (nC)
SOURCE CURRENT : I S (A)
10000
1000
t d(off)
t f
V DD = 250V
V GS = 10V
R G = 10Ω
Ta= 25 ℃
Pulsed
100
10
t r
t d(on)
1
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN CURRENT : I D (A)
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.10 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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