参数资料
型号: R5019ANJTL
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS
产品目录绘图: MOSFET LPTS
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 19A
功率 - 最大: 100W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: LPTS
包装: 标准包装
其它名称: R5019ANJTLDKR
R5019ANJ
Fig.10 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
 
Fig.11 Dynamic Input Characteristics
Data Sheet
Fig.12 Reverse Recovery Time
vs.Source Current
10000
1000
C iss
15
10
Ta= 25 ℃
V DD = 250V
I D = 19A
R G = 10Ω
Pulsed
10000
1000
100
C oss
10
Ta= 25 ℃
f= 1MHz
V GS = 0V
C rss
5
100
Ta= 25 ℃
di / dt= 100A / μs
V GS = 0V
Pulsed
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0
10
20
30
40
50
60
70
10
0
1
10
100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.13 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Q g (nC)
SOURCE CURRENT : I S (A)
10000
1000
t d(off)
t f
V DD = 250V
V GS = 10V
R G = 10Ω
Ta= 25 ℃
Pulsed
100
10
t r
t d(on)
1
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN CURRENT : I D (A)
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2011.10 - Rev.A
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