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参数资料
| 型号： | R6015ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6015ANX
? Absolute maximum ratings
Data Sheet
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
V DS = 480V, I D = 15A
Drain - Source voltage slope
dv/dt
T j = 125 ° C
50
V/ns
? Thermal resistance
Values
Parameter
Symbol
Unit
Min.
Typ.
Max.
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance, junction - ambient
Soldering temperature, wavesoldering for 10s
R thJC
R thJA
T sold
-
-
-
-
-
-
2.5
70
265
° C/W
° C/W
° C
? Electrical characteristics (T a = 25 ° C)
Values
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Drain - Source breakdown
voltage
Drain - Source avalanche
breakdown voltage
V (BR)DSS
V (BR)DS
V GS = 0V, I D = 1mA
V GS = 0V, I D = 15A
600
-
-
700
-
-
V
V
V DS = 600V, V GS = 0V
Zero gate voltage
drain current
I DSS
T j = 25 ° C
-
0.1
100
μ A
T j = 125°C
-
-
1000
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
I GSS
V GS (th)
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
-
2.5
-
-
± 100
4.5
nA
V
V GS = 10V, I D = 7.5A
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on) *6 T j = 25 ° C
T j = 125°C
-
-
0.23
0.46
0.3
-
?
Gate input resistance
R G
f = 1MHz, open drain
-
10.5
-
?
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.02 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R6020ANX | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM |
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| R8008ANX | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM |
| RCD040N25TL | MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428 |
| RCD080N25TL | MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R6015ANX_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 600V 15A Power MOSFET |
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| R6015FNX | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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