参数资料
型号: R6015ANX
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
产品目录绘图: TO-220FM, TO-220FN
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FM
包装: 散装

R6015ANX
? Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
Operation in this
100
10
area is limited
by R DS(ON)
80
P W = 100us
60
40
20
1
0.1
P W = 1ms
P W = 10ms
T a = 25oC
Single Pulse
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
1
10
100
1000
Junction Temperature : Tj [ ° C]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
1000
Drain - Source Voltage : V DS [V]
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T a = 25oC
Single Pulse
R th(ch-a)(t) = r (t) × R th(ch-a)
R th(ch-a) = 70oC/W
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
D = Single
0.0001
0.01
1
100
Pulse Width : PW [s]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.02 - Rev.B
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