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参数资料
| 型号： | R6015ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6015ANX
? Electrical characteristic curves
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
0.6
Data Sheet
Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
0.6
0.5
0.4
T a = 25oC
Pulsed
0.5
0.4
V GS = 10V
Pulsed
I D = 15A
0.3
0.2
0.1
0
I D = 7.5A
I D = 15A
0.3
0.2
0.1
0
I D = 7.5A
0
5
10
15
-50
0
50
100
150
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current
10
V GS = 10V
Pulsed
1
0.1
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = ? 25oC
0.01
Junction Temperature : T j [oC]
0.001
0.1
10
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
9/13
2012.02 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R6020ANX | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM |
| R8002ANX | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM |
| R8008ANX | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM |
| RCD040N25TL | MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428 |
| RCD080N25TL | MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R6015ANX_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 600V 15A Power MOSFET |
| R6015ANZ | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
| R6015FNX | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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