参数资料
型号: R6015ANX
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
产品目录绘图: TO-220FM, TO-220FN
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 25V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FM
包装: 散装

R6015ANX
? Electrical characteristic curves
Fig.11 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
900
850
Data Sheet
Fig.12 Typical Transfer Characteristics
100
V DS = 10V
Pulsed
800
750
700
650
600
550
500
10
1
0.1
0.01
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = ? 25oC
-50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
6
7
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Fig.13 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
6
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.14 Transconductance vs. Drain Current
100
5
V DS = 10V
I D = 1mA
10
V DS = 10V
Pulsed
4
1
3
0.1
2
T a = -25oC
T a = 25oC
1
0
0.01
0.001
T a = 75oC
T a = 125oC
-50
0
50
100
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.02 - Rev.B
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