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参数资料
| 型号： | R8002ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.3 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R8002ANX
l Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
10
80
60
40
1
0.1
Operation in this
area is limited
by R DS(ON)
P W = 100 m s
P W = 1ms
20
0.01
T a = 25oC
Single Pulse
P W = 10ms
0
0
50
100
150
200
0.001
0.1
1
10
100
1000
Junction Temperature : Tj [ ° C]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
1000
Drain - Source Voltage : V DS [V]
100
10
1
0.1
T a = 25oC
Single Pulse
R th(ch-a)(t) = ｒ (t) × R th(ch-a)
R th(ch-a) = 70oC/W
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.01
1
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
D = Single
100
Pulse Width : P W [s]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R8008ANX | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM |
| RCD040N25TL | MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428 |
| RCD080N25TL | MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428 |
| RCR-ML-010HT-3 | MODULE RCVR REMOTE CTRL HOLTEK |
| RCX120N25 | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R800-3016-100-0 | 制造商:D&B INDUSTRIAL / ROWE INDUSTRIES 功能描述:cable |
| R800-3016-1000-2 | 制造商:D&B INDUSTRIAL / ROWE INDUSTRIES 功能描述:UL3239, 16AWG 30 KVDC IN RED |
| R800-3016-100-2 | 制造商:D&B INDUSTRIAL / ROWE INDUSTRIES 功能描述:16 AWG 30 KV RED |
| R800-3020-100-9 | 制造商:D&B INDUSTRIAL / ROWE INDUSTRIES 功能描述:LEAD WIRE, 100FT 20AWG CU WHITE, Reel Length (Imperial):100ft, Reel Length (Metr |
| R800-3022-1000-0 | 制造商:ROWE INDUSTRIES 功能描述:BLACK CABLE UL 3239 HIGH VOLTAGE |
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