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参数资料
| 型号： | RB160M-60TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 337K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-123 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 60V |
| 电容@ Vr, F： | 40pF @ 10V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB160M-60DKR |
               www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB160M-60 0 5 10 15 20 25 30 AVE:11.7ns Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(A) REVERSE CURRENT:IR(uA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(uA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP IFSM DISRESION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 1 10 100TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) 0.001 0.01 0.1 1 0 100 200 300 400 500 600 Ta=-25℃ Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ 0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 0 102030405060 Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ 1 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 f=1MHz 480 490 500 510 520 530 AVE:495.1mV Ta=25℃ IF=1A n=30pcs 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Ta=25℃ VR=60V n=30pcs AVE:6.966uA 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 AVE:37.9pF Ta=25℃ f=1MHz VR=10V n=10pcs 0 50 100 150 AVE:85.0A 8.3ms Ifsm 1cyc 0 50 100 1 10 100 8.3ms 8.3ms Ifsm 1cyc 0.1 1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) Mounted on epoxy board 1ms IM=10mA IF=0.5A 300us time 0 0.5 1 1.5 00.511.52 DC D=1/2 Sin(θ＝180) 0 50 100 150 200 t Ifsm 2/3 2011.04 - Rev.E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB160M-90TR | DIODE SCHOTTKY 90V 1A PMDU |
| RB161M-20TR | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123 |
| RB161VA-20TR | DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2 |
| RB162L-40TE25 | DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB160M-60TR-CUT TAPE | 制造商:ROHM 功能描述:RB160M-60 Series 60 V 50 uA Surface Mount Schottky Barrier Diode - SOD-123 |
| RB160M-90 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Diode,SBD,Vrm=90V,Io=1A,PMDU(SMD) |
| RB160M-90_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB160M-90_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB160M-90_2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
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