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参数资料
| 型号： | RB160M-60TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 337K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-123 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 60V |
| 电容@ Vr, F： | 40pF @ 10V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB160M-60DKR |
        www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB160M-60 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0 102030405060 REVERSE POWER DISSIPATION:P R (W) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curve?(Io-Ta) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) CASE TEMPARATURE:Tc(℃) Derating Curve?(Io-Tc) Sin(θ＝180) DC D=1/2 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 255075100125150 Sin(θ＝180) DC D=1/2 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 25 50 75 100 125 150 Sin(θ＝180) DC D=1/2 T Tj=150℃VR=30V D=t/T t VR Io 0A 0V 0 5 10 15 20 25 30 C=200pF R=0Ω C=100pF R=1.5kΩ AVE:5.70kV No break at 30kV ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) ESD DISPERSION MAP T VR=30VTj=150℃ D=t/T t VR Io 0A 0V 3/3 2011.04 - Rev.E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB160M-60TR-CUT TAPE | 制造商:ROHM 功能描述:RB160M-60 Series 60 V 50 uA Surface Mount Schottky Barrier Diode - SOD-123 |
| RB160M-90 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Diode,SBD,Vrm=90V,Io=1A,PMDU(SMD) |
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| RB160M-90_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| RB160M-90_2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
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