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参数资料
| 型号： | RB161M-20TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 334K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-123 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 350mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 700µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RB161M-20DKR |
              www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB161M-20 0 5 10 15 20 25 30 AVE:11.7ns Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(A) REVERSE CURRENT:IR(uA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(uA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP IFSM DISRESION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 1TIME:t(ms) 10 100 IFSM-t CHARACTERISTICS 0.001 0.1 10 1000TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) 0.001 0.01 0.1 1 0 100 200 300 400 500 600 Ta=-25℃ Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ 1 10 100 1000 10000 100000 1000000 0 5 10 15 20 Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ 1 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 f=1MHz 300 310 320 330 340 350 AVE:311.1mV Ta=25℃ IF=1A n=30pcs 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Ta=25℃ VR=20V n=30pcs AVE:283.1uA 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 AVE:351.2pF Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs 0 50 100 150 AVE:65.0A 0 50 100 1 10 100 8.3ms 8.3ms Ifsm 1cyc 0 50 100 150 0.1 t Ifsm 1 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) Mounted on epoxy board 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 00.511.52 DC D=1/2 Sin(θ＝180) 8.3ms Ifsm 1cyc 1ms IM=100mA IF=1A 300us time 2/3 2011.04 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB161SS-20T2R | 功能描述:DIODE SCHOTTKY MED PWR KMD2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| RB161VA-20 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB161VA-20_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB161VA-20TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 20V 1A TUMD2 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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