参数资料
型号: RB161VA-20TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 335K
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2
产品培训模块: Diodes Overview
产品目录绘图: Diode TUMD2
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 420mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1mA @ 20V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商设备封装: TUMD2
包装: 标准包装
产品目录页面: 1647 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RB161VA-20DKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB161VA-20
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
5
10
15
20
25
30
AVE:9.3ns
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=10mA
IF=0.2A
300us
time
Mounted on epoxy board
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
trr DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
1
10
100
1000
0 100 200 300 400 500
1
10
100
1000
10000
100000
0 5 10 15 20 25 30
1
10
100
1000
0102030
f=1MHz
300
310
320
330
340
350
AVE:332.9mV
Ta=25℃
IF=0.7A
n=30pcs
370
380
390
400
410
420
AVE:386.8mV
Ta=25℃
VF=1A
n=30pcs
Ta=25℃
VR=20V
n=30pcs
AVE:205.9uA
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
AVE:160.3pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0
5
10
15
20
AVE:13.6A
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
1101001
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
25
30
10
100
t
Ifsm
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=125℃
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2011.04 - Rev.A
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PDF描述
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参数描述
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RB-162 制造商:Thomas & Betts 功能描述:
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