参数资料
型号: RB751V40T1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 117K
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 1MA SOD323
产品变化通告: Product Discontinuation 27/Jun/2007
标准包装: 10
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 30mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 370mV @ 1mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 500nA @ 30V
电容@ Vr, F: 2.5pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 剪切带 (CT)
工具箱: SMSIGDIODEA-KIT-ND - KIT SMALL SIGNAL DIODE DESIGN
其它名称: RB751V40T1OSCT
RB751V40T1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA
=25?C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(IR
=10?A)
V(BR)R
30
--
--
Volts
Total Capacitance
(VR
=1.0V,f=1.0MHz)
CT
--
2.0
2.5
pF
Reverse Leakage
(VR
=30V)
IR
--
300
500
nAdc
Forward Voltage
(IF
=1.0mAdc)
VF
--
0.28
0.37
Vdc
Notes: 1. A 2.0 k?
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF)of10mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes:
3. tp
?trr
+10 V
2k
820
?
0.1
?F
DUT
VR
100
?H
0.1
?F
50
?
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
?
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
=1mA
OUTPUT PULSE
(IF
=IR
= 10 mA; measured
at iR(REC)
=1mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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PDF描述
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参数描述
RB751V40T1/D 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diode
RB751V40T1G 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
RB751V40T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode
RB751V-40TE17 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
RB751V-40TE-17 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 40V 30MA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel