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参数资料
| 型号： | RB886CST2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 95K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 5V 10MA VMN2 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 5V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 350mV @ 1mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 120µA @ 5V |
| 电容@ Vr, F： | 0.8pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | VMN2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB886CST2RDKR |
          RB886CS Diodes 1/2 Schottky barrier diode RB886CS 』Applications 』External dimensions (Unit : mm) 』Land size figure (Unit : mm) High frequency detection VMN2 0.55 0.5 0.45 0.45 』Features 1) Ultra small mold type. (VMN2) 2) Low Ct and high detection efficiency. 』Construction 』Structure Silicon epitaxial planar ROHM : VMN2 dot (year week factory) + day 』Taping specifications (Unit : mm) 』Absolute maximum ratings (Ta=25°C) 』Electrical characteristics (Ta=25°C) 0.16±0.05 0.37±0.03 0.6±0.05 0.35±0.1 0.9±0.05 1.0±0.05 0.156 0.7±0.05 4.0±0.1 2±0.05 φ0.5 4±0.1 2±0.05 φ1.55 1.75±0.1 8.0±0.2 3.5±0.05 1.1±0.05 0.2±0.05 0.52 Symbol Unit VR V IF mA Tj ℃ Tstg ℃ Parameter Reverse voltage Average rectified forward current -40 to +125 Limits 5.0 10 Junction temperature Storage temperature 125 Symbol Min. Typ. Max. Unit VF - - 0.35 V IF=1.0mA IR - - 120 μA VR=5.0V Capacitance between terminals Ct - 0.53 0.80 pF VR=1.0V , f=1MHz Conditions Reverse current Parameter Forward voltage |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB886GT2R | DIODE SCHOTTKY 5V 10MA VMD2 |
| RF05VA2STR | DIODE FAST REC 200V 0.5A TUMD2 |
| RF071L4STE25 | DIODE 400V 1A SOD-106 |
| RF071M2STR | DIODE 200V 700MA SOD123 |
| RF081L2STE25 | DIODE 200V 1A SOD-106 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB886CST2RA | 制造商:Rohm 功能描述:Cut Tape 制造商:Rohm Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 5V 0.01A 2-Pin VMN T/R |
| RB886G | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB886G_05 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB886GT2R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY HIGH FREQ RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB886Y | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
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