参数资料
型号: RB886CST2R
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 95K
描述: DIODE SCHOTTKY 5V 10MA VMN2
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 5V
电流 - 平均整流 (Io): 10mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 350mV @ 1mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 120µA @ 5V
电容@ Vr, F: 0.8pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商设备封装: VMN2
包装: 标准包装
其它名称: RB886CST2RDKR
RB886CS
Diodes
2/2
』Electrical characteristic curves (Ta=25°C)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
ELECTROSTATIC
D
I
SCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0.01
0.1
1
10
0 300 600 900 1200 1500
1
10
100
1000
012345
0.1
1
012345
f=1MHz
250
260
270
280
290
300
AVE:275.2mV
Ta=25℃
VF=1mA
n=30pcs
0
50
100
150
200
250
300
Ta=25℃
VR=5V
n=30pcs
AVE:21.63uA
Ta=25℃
f=1MHz
VR=1V
n=10pcs
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1m
IM=1mA
IF=10mA
300u
time
Mounted on epoxy board
0
1
2
3
4
5
AVE:0.48kV
AVE:1.47kV
C=100pF
R=1.5kΩ
C=200pF
R=0Ω
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=25℃
Ta=75℃
Ct DISPERSION MAP
AVE:0.520pF
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PDF描述
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