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参数资料
| 型号： | RF081L2STE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 514K |
| 描述： | DIODE 200V 1A SOD-106 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RF081L2STE25DKR |
           Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Super Fast Recovery Diode RF081L2S ?Series ?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm) Standard Fast Recovery ?Applications General rectification ?Features 1)Small power mold type.（PMDS） ?Structure 2)Low switching loss 3)Low forward voltage ?Construction Silicon epitaxial planer ?Absolute maximum ratings (TI=25 ?C) Parameter ConditionsSymbol Limits Unit VRM 200 V VR 200 V Tj 150 ?C Tstg ?55 to ?150 ?C ?Electrical characteristics (Tj=25 ?C) Symbol Min. Typ. Max. Unit VF － 0.85 0.98 V IR － 0.01 10 μA trr － 12 25 ns Thermal resistance Rth(j-l) －－23 °C/W 1.1 A 25 A D≥0.5 Direct voltage Glass epoxy substrate mounted R-road, 60Hz half sin wave Tl=120°C junction to lead Reverse recovery time Reverse current IF=1.1A VR=200V IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR Forward voltage Conditions Parameter Storage temperature Junction temperature Forward current surge peak IFSM 60Hz half sin wave, Non-repetitive one cycle peak value, Tj=25°C Average rectified forward current Io Reverse voltage Repetitive peak reverse voltage ?Taping dimensions (Unit : mm) PMDS 2.0 4.2 2.0 ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 ① ② ① ② 65 66 0.1±0.02 0.1 2.6±0.2 2.0±0.2 5.0±0.3 1.2±0.3 4.5±0.2 1.5±0.2 4.0±0.1 |
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