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参数资料
| 型号： | RF081M2STR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 315K |
| 描述： | DIODE FAST REC 200V 0.8A SOD-123 |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-123 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 800mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 950mV @ 800mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 200V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RF081M2SDKR |
          Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Super Fast Recovery Diode RF081M2S ?Series ?Dimensions (Unit : mm) Standard Fast Recovery ?Applications General rectification ?Features 1)Small power mold type. (PMDU) ?Structure 2)high switching speed 3)Low Reverse current ?Construction Silicon epitaxial planar ?Taping dimensions (Unit : mm) ?Absolute maximum ratings (Tl=25°C) Symbol UnitLimits VRM V VR V Direct voltage Glass epoxy substrate mounted 50×50mm Glass epoxy substrate mounted Forward current surge peak 15IFSM A Tj °C Tstg °C ?Electrical characteristics (Tj=25°C) Symbol Min. Typ. Max. Unit － 0.83 0.95 IF=0.8A － 0.86 0.98 IF=1.0A Reverse current IR － 0.01 10 μA VR=200V Reverse recovery time trr － 12 25 ns IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25*IR Thermal Resistance Rth(j-l) －－20 °C/W junction to lead Forward voltage VF V Conditions Storage temperature ?55 to ?150 Parameter 60Hz half sin wave, Non-repetitive one cycle peak value, Tj=25°C Junction temperature 150 Average rectified forward current Io 0.8 A 1.0 Repetitive peak Reverse voltage 200 Reverse voltage 200 ?Land size figure (Unit : mm) Parameter Conditions PMDU 1.2 3.05 0.85 ROHM : PMDU JEDEC :SOD-123 Manufacture Date 0.9±0.1 1.6±0.1 2.6±0.1 3.5±0.2 0.8±0.1 0.1±0.1 0.05 ① 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.05 1.81±0.1 4.0±0.1 φ1.0±0.1 3.5±0.05 1.75±0.1 8.0±0.2 0.25±0.05 1.5MAX 3.71±0.1 1/3 2011.05 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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