参数资料
型号: RF081M2STR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 315K
描述: DIODE FAST REC 200V 0.8A SOD-123
产品目录绘图: Diode SOD-123
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 800mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 950mV @ 800mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 25ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 200V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123
供应商设备封装: PMDU
包装: 标准包装
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RF081M2SDKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RF081M2S
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Derating Curve?(Io-Ta)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
CASE TEMPARATURE:Tc(℃)
Derating Curve(Io-Tc)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
00.511.520
D.C.
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
half sin wave
D=0.8
0.5
1
1.5
2
0 30 60 90 120 150
D.C.
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
half sin wave
D=0.8
T
VR=1Tj=15060V℃
D=t/T
t
VR
Io
0A
0V
0
0.5
1
1.5
2
0 306090120150
D.C.
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
half sin wave
D=0.8
T
Tj=150℃
D=t/T
t
VR
Io
VR=160V
0A
0V
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2011.05
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