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参数资料
| 型号： | RF081L2STE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 514K |
| 描述： | DIODE 200V 1A SOD-106 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RF081L2STE25DKR |
   www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RF081L2S 0 5 10 15 20 25 30 No break at 30kV C=100pF R=1.5kΩ C=200pF R=0Ω AVE:12.0kV 0 20 40 60 80 100 AVE:74.5A 8.3ms IFSM 1cyc IFSM DISPERSION MAP ITS ABILITY OF PEAK SURGE FORWARD CURRENT : I FSM (A) 0 5 10 15 20 25 30 AVE:13.1ns IF=0.5A IR=1A Irr=0.25×IR trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) 1 10 100 1 10 100 8.3ms IFSM 1cyc 8.3ms PEAK SURGE FORWARD CURRENT : I FSM (A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS 1 10 100 1000 1 10 100 t IFSM PEAK SURGE FORWARD CURRENT : I FSM (A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) ESD DISPERSION MAP 0.1 1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-l) Rth(j-a) On glass-epoxy substrate soldering land 10mm□ Rth(j-a) On glass-epoxy substrate soldering land 2mm□ TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE:Rth ( ° C/W) 3/4 2011.10 - Rev.A |
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