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参数资料
| 型号： | RB886GT2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 104K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 5V 10MA VMD2 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 5V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 350mV @ 1mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 120µA @ 5V |
| 电容@ Vr, F： | 0.8pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | VMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB886GT2RDKR |
           RB886G Diodes Rev.A 1/2 Schottky barrier diode RB886G 』Applications 』External dimensions (Unit : mm) 』Land size figure (Unit : mm) VMD2 0.5 1.2 0.5 High frequency detection 』Features 1) Small mold type. (VMD2) 2) Low Ct and high detection efficiency. 』Construction Silicon epitaxial planar 』Structure ROHM : VMD2 dot (year week factory) 0.13±0.03 0.5±0.05 0.27±0.03 0.6±0.05 1.0±0.05 1.4±0.05 』Taping specification (Unit : mm) 0.76±0.1 4±0.1 4±0.1 2±0.05 φ1.5+0.1 0 3.5±0.05 1.75±0.1 8.0±0.3 0.1 0.18±0.05 0.65±0.05 φ0.5 0.4 2±0.05 0.3 1.11±0.05 2.1±0.1 』Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol Unit VRm V VR V IF mA Tj ℃ Tstg ℃ 』Electrical characteristics (Ta=25°C) Symbol Min. Typ. Max. Unit VF --0.35VIF=1mA Reverse current IR - - 120 μA VR=5V Capacitance between terminals Ct - 0.53 0.8 pF VR=1V , f=1MHz Conditions Forward voltage Parameter Junction temperature Storage temperature 125 -40 to +125 Parameter Reverse voltage Forward current Limits 5 10 Reverse voltage 15 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB886Y_08 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB886YT2R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Diode; Schottky detection; 5V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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| RB8-BLK(50 PACK) | 制造商:HellermannTyton 功能描述:CABLE CLIP S/ADH 8MM BLK PK50 |
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