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参数资料
| 型号： | RB886GT2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 104K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 5V 10MA VMD2 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 5V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 350mV @ 1mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 120µA @ 5V |
| 电容@ Vr, F： | 0.8pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | VMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB886GT2RDKR |
             RB886G Diodes Rev.A 2/2 』Electrical characteristic curves (Ta=25°C) FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(mA) REVERSE CURRENT:IR(uA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(uA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) ELECTROSTATIC DDISCHARGE TEST ESD(KV) ESD DISPERSION MAP 0.01 0.1 1 10 0 300 600 900 1200 1500 1 10 100 1000 012345 0.1 1 012345 f=1MHz 250 260 270 280 290 300 AVE:275.2mV Ta=25℃ IF=1mA n=30pcs 0 50 100 150 200 250 300 Ta=25℃ VR=5V n=30pcs AVE:21.63uA 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 AVE:0.520pF Ta=25℃ f=1MHz VR=1V n=10pcs 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) 1ms IM=10mA IF=100mA 300us time Mounted on epoxy board 0 1 2 3 4 5 AVE:0.48kV AVE:1.47kV C=100pF R=1.5kΩ C=200pF R=0Ω Ta=-25℃ Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ Ta=125℃ Ta=25℃ Ta=75℃ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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