- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录503 > RCD080N25TL (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RCD080N25TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-428 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-428 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RCD080N25TLDKR |
RCD080N25
l Electrical characteristic curves
Fig.4 Avalanche Current vs Inductive Load
100
V DD =50V,R G =25 W
V GF =10V,V GR =0V
Starting T ch =25oC
10
1
0.1
Data Sheet
Fig.5 Avalanche Energy Derating Curve
vs Junction Temperature
120
100
80
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Coil Inductance : L [mH]
Fig.6 Typical Output Characteristics(I)
4
Junction Temperature : T j [ ° C]
Fig.7 Typical Output Characteristics(II)
8
3
2
1
T a =25oC
Pulsed
V GS =10.0V
V GS =8.0V
V GS =7.0V
V GS =6.5V
6
4
2
V GS =10.0V
V GS =8.0V
T a =25oC
Pulsed
V GS =7.0V
V GS =6.5V
0
V GS =6.0V
V GS =5.5V
0
V GS =6.0V
V GS =5.5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Drain - Source Voltage : V DS [V]
www.rohm.com
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5/12
2014.01 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCR-ML-010HT-3 | MODULE RCVR REMOTE CTRL HOLTEK |
| RCX120N25 | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FM |
| RCX330N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM |
| RD3965MMA7660FC | ZSTAR3 ZIGBEE W/MMA7660FC |
| RDD020N60TL | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RCD08ML | 制造商:TIMEGUARD 功能描述:SOCKET 2GANG RCD LATCHING |
| RCD08MPV | 制造商:TIMEGUARD 功能描述:SOCKET 2GANG RCD PASSIVE METAL 制造商:TIMEGUARD 功能描述:SOCKET, 2GANG, RCD, PASSIVE, METAL 制造商:TIMEGUARD 功能描述:SOCKET, 2GANG, RCD, PASSIVE, METAL; Voltage Rating V AC:230V; Tripping Current:30mA; Trip Time:40ms; Outlet Type:BS 1363; Type:Latching ;RoHS Compliant: Yes |
| RCD100N20 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
| RCD100N20TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:POWER MOSFETS ARE MADE AS LOW ON-RESISTANCE DEVICES - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE SCHOTTKY CPT 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE |
| RCD101AL | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:COMBO, 2) 15A SP ROCKER, AL |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。