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参数资料
| 型号： | RCD080N25TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-428 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-428 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RCD080N25TLDKR |
RCD080N25
l Electrical characteristic curves
Fig.8 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
340
V GS = 0V
Data Sheet
Fig.9 Typical Transfer Characteristics
10
V DS = 10V
320
I D = 1mA
1
300
280
260
240
220
0.1
0.01
0.001
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = - 25oC
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
Junction Temperature : T j [ ° C]
Fig.10 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
5.5
V DS = 10V
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.11 Transconductance vs. Drain Current
10
V DS = 10V
I D = 1mA
5.0
1
4.5
4.0
0.1
T a = - 25oC
T a =25oC
T a =75oC
3.5
3.0
0.01
T a =125oC
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0.01
0.1
1
10
Junction Temperature : T j [ ° C]
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2014.01 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCR-ML-010HT-3 | MODULE RCVR REMOTE CTRL HOLTEK |
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| RDD020N60TL | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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