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参数资料
| 型号： | RCD080N25TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-428 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-428 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RCD080N25TLDKR |
RCD080N25
l Electrical characteristic curves
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
1000
T a =25oC
Data Sheet
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
10000
T a =25oC
800
1000
600
400
200
0
I D = 10A
I D = 5.0A
100
10
V GS = 10V
0
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
500
V GS = 10V
I D = 4A
400
300
200
100
0
Drain Current : I D [A]
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
Junction Temperature : T j [oC]
www.rohm.com
? 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2014.01 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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