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参数资料
| 型号： | RCPXA271FC0312 |
| 厂商： | MARVELL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 312 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA336 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 1.55 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, CSP-336 |
| 文件页数： | 119/138页 |
| 文件大小： | 1048K |
| 代理商： | RCPXA271FC0312 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页当前第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页
Part 2: Flash Device Operations
Flash Erase Operations
Intel PXA27x Processor Family Memory Subsystem
81
Flash Erase Operations
12
Flash erasing is performed on an individual block basis. An entire block is erased each time an
erase command sequence is issued, and only one block is erased at a time. When a block is erased,
all bits within that block read as logical ones. The following sections describe block erase
operations in detail.
12.1
Flash Block Erase
Block erase operations are initiated by writing the Block Erase Setup command to the address of
the target block to be erased. See Section 9.3, “Flash Command Definitions” on page 66. Next, the
Block Erase Confirm command is written to the address of the block to be erased. Erasing can
occur in only one partition at a time; all other partitions must be in a read state. If the flash is placed
in standby (F-CE# deasserted) during an erase operation, the flash continues to complete the erase
operation before entering standby.
Note:
During a block erase, the flash Write State Machine (WSM) executes a sequence of internally-
timed events that conditions, erases, and verifies all bits within the block. Erasing the flash memory
array changes “logical-zeros” to “logical-ones.” Memory array bits can be changed to zeros only
by programming the block (see Section 11, “Flash Programming Operations” on page 75).
The Status Register can be examined for block erase progress and errors by reading any address
within the partition that is being erased. The partition remains in the Read Status Register state
until another command is written to that partition. Issuing the Read Status Register command to
another partition address sets that partition to the Read Status Register state, allowing erase
progress to be monitored at that partition’s address. SR.0 indicates whether the addressed partition
or another partition is erasing. The partition’s Status Register bit SR.7 is set upon erase completion.
SR.7 indicates block erase status while the sequence executes. When the erase operation has
finished, Status Register bit SR.5 indicates an erase failure if set. SR.3 set would indicate that the
WSM could not perform the erase operation because F-VPP was outside of its acceptable limits.
SR.1 set indicates that the erase operation attempted to erase a locked block, causing the operation
to abort.
Before issuing a new command, the Status Register contents should be examined and then cleared
using the Clear Status Register command. Any valid command can follow once the block erase
operation has completed.
12.2
Flash Erase Suspend
Issuing the Erase Suspend command while erasing suspends the block erase operation. This allows
data to be accessed from memory locations other than the one being erased. The Erase Suspend
command can be issued to any flash address; the corresponding partition is not affected. A block
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCPXA271FC0416 | 416 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA336 |
| RD151TS3312ARPH0 | 20 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| RD151TS3314ARPH0 | 80 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| RD151TS3326ARPH0 | 80 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| RD15LD74ANPT0 | SPECIALTY LOGIC CIRCUIT, PDIP20 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RCQ50110S05 | 功能描述:DC-DC CONV, RAILWAY, 50W 制造商:xp power 系列:RCQ 包装:散装 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:66V 电压 - 输入（最大值）:160V 电压 - 输出 1:5V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:10A 功率（W） - 制造系列:50W 电压 - 隔离:3kV（3000V） 应用:ITE（商业），铁路 特性:远程开/关 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP 模块 大小/尺寸:2.28" 长 x 1.45" 宽 x 0.50" 高（57.9mm x 36.8mm x 12.7mm） 工作温度:-40°C ~ 35°C 效率:90% 功率（W） - 最大值:50W 标准包装:1 |
| RCQ50110S12 | 功能描述:DC-DC CONV, RAILWAY, 50W 制造商:xp power 系列:RCQ 包装:散装 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:66V 电压 - 输入（最大值）:160V 电压 - 输出 1:12V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:4.17A 功率（W） - 制造系列:50W 电压 - 隔离:3kV（3000V） 应用:ITE（商业），铁路 特性:远程开/关 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP 模块 大小/尺寸:2.28" 长 x 1.45" 宽 x 0.50" 高（57.9mm x 36.8mm x 12.7mm） 工作温度:-40°C ~ 35°C 效率:91% 功率（W） - 最大值:50W 标准包装:1 |
| RCQ50110S15 | 功能描述:DC-DC CONV, RAILWAY, 50W 制造商:xp power 系列:RCQ 包装:散装 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:66V 电压 - 输入（最大值）:160V 电压 - 输出 1:15V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:3.33A 功率（W） - 制造系列:50W 电压 - 隔离:3kV（3000V） 应用:ITE（商业），铁路 特性:远程开/关 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP 模块 大小/尺寸:2.28" 长 x 1.45" 宽 x 0.50" 高（57.9mm x 36.8mm x 12.7mm） 工作温度:-40°C ~ 35°C 效率:92% 功率（W） - 最大值:50W 标准包装:1 |
| RCQ50110S24 | 功能描述:DC-DC CONV, RAILWAY, 50W 制造商:xp power 系列:RCQ 包装:散装 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:66V 电压 - 输入（最大值）:160V 电压 - 输出 1:24V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:2.08A 功率（W） - 制造系列:50W 电压 - 隔离:3kV（3000V） 应用:ITE（商业），铁路 特性:远程开/关 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP 模块 大小/尺寸:2.28" 长 x 1.45" 宽 x 0.50" 高（57.9mm x 36.8mm x 12.7mm） 工作温度:-40°C ~ 35°C 效率:91% 功率（W） - 最大值:50W 标准包装:1 |
| RCQ5072S05 | 功能描述:DC-DC CONV, RAILWAY, 50W 制造商:xp power 系列:RCQ 包装:散装 零件状态:有效 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:43V 电压 - 输入（最大值）:101V 电压 - 输出 1:5V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:10A 功率（W） - 制造系列:50W 电压 - 隔离:3kV（3000V） 应用:ITE（商业），铁路 特性:远程开/关 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP 模块 大小/尺寸:2.28" 长 x 1.45" 宽 x 0.50" 高（57.9mm x 36.8mm x 12.7mm） 工作温度:-40°C ~ 35°C 效率:90% 功率（W） - 最大值:50W 标准包装:1 |
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