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参数资料
型号： RCPXA271FC0312
厂商： MARVELL SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 312 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA336
封装： 14 X 14 MM, 1.55 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, CSP-336
文件页数： 97/138页
文件大小： 1048K
代理商： RCPXA271FC0312
Part 2: Flash Device Operations
Device Operations Overview
Intel PXA27x Processor Family Memory Subsystem
61
Device Operations Overview
9
9.1
Flash and LPSDRAM Bus Operations
Bus operations for the PXA27x processor memory subsystem device involve the control of flash
and LPSDRAM inputs. The bus operations are shown from Table 18 to Table 20. Fully
synchronous operations are performed by the flash or LPSDRAM to latch the commands at the
positive edges of F-CLK or R-CLK respectively
.
Table 18.
Flash + LPSDRAM Bus Operations (Sheet 1 of 2)
D
e
vi
ce
Mode
F-R
S
T#
F-
C
E
#
OE
#
AD
V#
F
-VPP
WE
#
D
-CKE
n-
1
D-CK
E
n
D-CS
#
D-R
A
S#
D-C
A
S#
D-
DM
[1
:0
]
D-
BA[1
:0
]
A1
1
Ad
d
re
s
Da
ta
No
te
s
Fl
as
h
D
ie
Sync Read
H
LLL
X
H
LPSDRAM outputs must be in High-Z
Flash
DQOUT
1,2,3,4,
15
Async
Read
H
LLL
X
H
Flash
DQOUT
1,2,3,4,
15
Write
H
L
H
L
VPPL/
VPPH
LFlash DQIN
1,2,4,15
Output
Disable
HL
H
X
H
Any LPSDRAM mode is allowed
Flash High-Z
4,15
Standby
H
X
Flash High-Z
4,15
Reset
L
X
Flash High-Z
4,15
L
P
S
DRAM
D
ie
Active
Flash outputs must be in
High-Z
H
X
L
H
X
V
Row Address
LPSDRAM
DQOUT
5,6,7
Read
HH
X
L
H
L
V
L
Col
Addr
LPSDRAM
DQOUT
5,6,7,13
With Auto
Precharge
H
Write
LH
X
L
H
L
V
L
X
LPSDRAM
DQIN
5,6,8
With Auto
Precharge
H
Burst Stop
L
H
L
H
X
LPSDRAM
High-Z
9
Precharge
One Bank
LH
X
L
H
X
VL
X
LPSDRAM
High-Z
6
All Banks
X
H
Auto
Refresh
Flash outputs must be in
High-Z
H
LLL
X
LPSDRAM
High-Z
6, 12
Self
Refresh
Entry
Flash must be in High-Z
H
L
X
LPSDRAM
High-Z
6
Self
Refresh
Exit
Any flash mode is allowed
H
LH
H
XX
X
LPSDRAM
High-Z
6
XH
X
相关PDF资料
PDF描述
RCPXA271FC0416 416 MHz, MICROPROCESSOR, PBGA336
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