- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19192 > RFD3055LE (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | RFD3055LE |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | I-PAK, I2PAK Pkg |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 107 毫欧 @ 8A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
RFD3055LE, RFD3055LESM
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
t ON
t OFF
V DS
V DS
t d(ON)
90%
t r
t d(OFF)
t f
90%
V GS
R L
DUT
+
-
V DD
0
10%
90%
10%
R GS
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 18. SWITCHING TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
R L
V DD
V DS
Q g(TOT)
V GS = 20V
V GS
+
Q g(10) OR Q g(5)
V GS = 10V FOR
L 2 DEVICES
I g(REF)
DUT
-
V DD
V GS
V GS = 2V
0
V GS = 1V FOR
L 2 DEVICES
V GS = 10V
V GS = 5V FOR
L 2 DEVICES
Q g(TH)
I g(REF)
0
FIGURE 20. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 21. GATE CHARGE WAVEFORMS
RFD3055LE, RFD3055LESM Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 210-12MSTFD | SWITCH RAISED ACTUATOR 12 SEC |
| 210-12LPSTFD | SWITCH SPST 12 SEC LOW PROFILE |
| 210-12MSTD | SWITCH RAISED ACTUATOR 12 SEC |
| 210-12LPSTD | SWITCH SPST 12 SEC STRAIGHT TERM |
| 210-12MSD | SWITCH RAISED ACTUATOR 12 SEC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFD3055LE | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 11A TO-251AA |
| RFD3055LE_Q | 功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFD3055LE_R4470 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFD3055LE_R4821 | 功能描述:MOSFET N-Ch Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFD3055LESM | 功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。