参数资料
型号: RFUS10TF4S
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 501K
描述: DIODE FST REC 430V 10A TO220NFM3
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 430V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 整包
供应商设备封装: TO-220NFM
包装: 散装
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RFUS10TF4S
 
150
160
170
180
190
200
210
220
230
240
250
f=1MHz
VR=0V
Tj=25°C
AVE:182.2pF
1
10
100
1000
10000
100000
0
100
200
300
400
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Tj=75°C
0.1
1
10
100
0
1
2
3
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=75°C
FORWARD VOLTAGE:VF(V)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(A)
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
f=1MHz
1200
1250
1300
1350
1400
1450
1500
1550
1600
1650
1700
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
AVE:1436mV
IF=10A
Tj=25°C
1
10
100
VR=430V
Tj=25°C
AVE:13.6nA
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
2/4
2011.10
- Rev.A
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