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参数资料
| 型号： | RFUS10TF4S |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 501K |
| 描述： | DIODE FST REC 430V 10A TO220NFM3 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 430V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220NFM |
| 包装： | 散装 |
   www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RFUS10TF4S 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 0 30 60 90 120 150 D.C. D=0.5 D=0.2 D=0.1 D=0.05 half sin wave D=0.8 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 5 10 15 20 D.C. D=0.5 D=0.2 D=0.1 D=0.05 half sin wave D=0.8 FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS 0 2 4 6 8 10 12 0 30 60 90 120 150 D.C. D=0.5 D=0.2 D=0.1 D=0.05 half sin wave D=0.8 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(°C) DERATING CURVE (Io-Ta) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) T Tj=150°C D=t/TV R=215V t VR Io 0V0A AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) CASE TEMPERATURE:Tc(°C) DERATING CURVE (Io-Tc) T Tj=150°C D=t/TV R=215V t VR Io 0V0A 4/4 2011.10 - Rev.A |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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