参数资料
型号: RFUS10TF4S
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 501K
描述: DIODE FST REC 430V 10A TO220NFM3
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 430V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 整包
供应商设备封装: TO-220NFM
包装: 散装
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RFUS10TF4S
 
0
50
100
150
200
250
300
AVE:134.5A
IFSM
DISPERSION MAP
ITS ABILITY OF PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
8.3ms
IFSM
1cyc.
0
5
10
15
20
25
30
IF=0.5A
IR=1.0A
Irr=0.25×IR
Tj=25°C
AVE:17.9ns
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
1
10
100
1000
1
10
100
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
10
100
1000
1
10
100
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE:0.66kV
AVE:4.5kV
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-c)
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE:Rth (
°
C
/W)
3/4
2011.10
- Rev.A
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