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参数资料
| 型号： | RJK005N03T146 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346 |
| 产品目录绘图： | xT146 Series SOT-346 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 580 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SMT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RJK005N03T146DKR |
RJK005N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RJK005N03
Structure
Silicon N-channel MOS FET
External dimensions (Unit : mm)
SMT3
2.9
1.1
Features
1) Low On-resistance.
2) Low voltage drive (2.5V drive).
(3)
(2)
0.4
(1)
0.8
0.95 0.95
0.15
1.9
Applications
Switching
Packaging specifications and h FE
(1)Source
(2)Gate
(3)Drain
Inner circuit
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : KV
Package
Taping
(3)
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
T146
3000
RJK005N03
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
(2)
? 1
? 1 ESD PROTECTION DIODE (1)
? 2 BODY DIODE
? 2
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
± 12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body Diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
P D ? 2
Tch
Tstg
± 500
± 2.0
200
800
200
150
? 55 to + 150
mA
A
mA
mA
mW
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Each terminal mounted on a recommended land
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
625
Unit
° C/W
? Each terminal mounted on a recommended land
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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