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参数资料
| 型号： | RJK03E0DNS-00#J5 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HWSON |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3050pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-HWSON（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK03E0DNS-00#J5DKR |
Preliminary Datasheet
RJK03E0DNS
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
Features
R07DS0656EJ0300
(Previous: REJ03G1902-0200)
Rev.3.00
Feb 01, 2012
?
?
?
?
?
High speed switching
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R DS(on) = 4.3 m ? typ. (at V GS = 10 V)
? Pb-free
? Halogen-free
Outline
RENESAS Package code: PWSN0008JB-A
(Package name: HWSON-8)
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
1, 2, 3 Source
4 3 2 1
G
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
S S S
1 2 3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V DSS
V GSS
I D
I D(pulse)Note1
I DR
I AP Note 2
E AR Note 2
Pch Note3
? ch-c Note3
Tch
Tstg
Ratings
30
±20
30
120
30
13
16.9
20
6.25
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
? C/W
? C
? C
Notes: 1. PW ? 10 ? s, duty cycle ? 1%
2. Value at Tch = 25 ? C, Rg ? 50 ?
3. Tc = 25 ? C
R07DS0656EJ0300 Rev.3.00
Feb 01, 2012
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| RJK03E1DNS-00-J5 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK03E2DNS | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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