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参数资料
| 型号： | RJK6025DPD-00#J2 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 600V 1A MP3A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | * |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 37.5pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 29.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | MP-3A |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RJK6025DPD-00#J2DKR |
Preliminary Datasheet
RJK6025DPD
600V - 1A - MOS FET
High Speed Power Switching
Features
? Low on-resistance
R DS(on) = 13.5 ? typ. (at I D = 0.5 A, V GS = 10 V, Ta = 25 ? C)
? Low drive current
? High density mounting
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZG-A
(Package name : MP-3A)
4
D
R07DS0676EJ0100
Rev.1.00
Feb 17, 2012
1.
2.
Gate
Drain
1 2
3
G
3.
4.
Source
Drain
S
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V DSS
V GSS
I D
I D (pulse)Note1
I DR
I DR (pulse)Note1
Pch Note2
? ch-c
Tch
Tstg
Ratings
600
? 30
1
2
1
2
29.7
4.2
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
? C/W
? C
? C
Notes: 1. PW ? 10 ? s, duty cycle ? 1%
2. Value at Tc = 25 ? C
R07DS0676EJ0100Rev.1.00
Feb 17, 2012
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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