参数资料
型号: RJK6025DPD-00#J2
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH 600V 1A MP3A
标准包装: 1
系列: *
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: *
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 37.5pF @ 25V
功率 - 最大: 29.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: MP-3A
包装: 标准包装
其它名称: RJK6025DPD-00#J2DKR
RJK6025DPD
2
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Tc = 25°C
Preliminary
1
0.5
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
θ ch – c(t) = γ s (t) ? θ ch – c
θ ch – c = 4.2 ° C/W, Tc = 25 ° C
0.01
0.2 1 shot pulse
P DM
D=
PW
T
PW
T
0.1
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
Switching Time Test Circuit
Pulse Width
PW (s)
Waveform
Vin Monitor
D.U.T.
Vout
Monitor
90%
R L
Vin
10%
10 Ω
Vin
V DD
Vout
10%
10%
10 V
=2V
90%
90%
R07DS0676EJ0100Rev.1.00
td(on)
tr
td(off)
tf
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Feb 17, 2012
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